作为国内碳化硅功率器件先行者，派恩杰半导体有限公司成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营车规级碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓功率器件。拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势，创始人黄兴博士于09年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授及晶闸管发明人Alex Huang教授。10余年碳化硅与氮化镓功率器件经验，在世界顶尖碳化硅实验室参与美国自然科学基金委FREEDM项目、美国能源部Power America项目，曾任职于Qorvo Inc.、联合碳化硅，2018年成立派恩杰半导体，立志于帮助中国建立成熟的功率器件产业链。 派恩杰半导体会在未来不断强化研发能力，突出核心技术，推动碳化硅芯片国产替代，提供优质的产品和服务，为客户创造价值
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09-09发布
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